一、存储产业链划分
晶圆：三星、美光、海力士、西数、铠侠、长鑫等。
主控芯片厂：慧荣、联芸、Marvell、群联电子、德明利等，前三家分别占比57.69%、16.67%、15.38%。
封装测试厂：日月光、通富微电等，厂商较多。
模组厂：金士顿、威刚、闪迪、创见、江波龙等。
二、存储器主要生产基地
韩国
DRAM：三星(华城市、平泽市)海力士(利川)
NAND Flash：三星(华城市、平泽市)海力士(清州、利川)
日本
DRAM：美光（广岛）
NAND Flash：铠侠(四日市、岩手县)西部数据(四日市、岩手县)
美国：美光DRAM和NAND Flash
中国
DRAM：海力士(无锡)长鑫(合肥）
NAND Flash： 三星(西安)长江存储(武汉)Soliddigm(大连）
台湾地区：DRAM：美光(桃园、台中)南亚(桃园）
新加坡：美光NAND Flash
三、半导体存储器的分类
易失性存储器
断电后无法保留存储信息
SRAM：静态随机存储器，不需要定期刷新。
DRAM：动态随机存储器，需要在数据改变或断电前进行周期性充电，保持电势，否则会丢失数据。细分市场：智能手机、服务器和 PC，占比分别为 35%、33%和 16%。
非易失性存储器
断电后可以保留存储信息。
NOR Flash
（1）主要由中国台湾的华邦、旺宏以及大陆的GD三家厂商主导，2021年市占率分别为35%、33%、23%。厂商产品各有侧重，比如华邦和旺宏更侧重于工业控制领域，Cypress则布局工业、航天和车用市场。
（2）细分市场：通讯、消费电子、车载电子、电脑和工业控制，占比分别为 30%、26%、18%、14%和 12%。
NAND Flash
（1）按照颗粒密度差异可以分为 SLC、MLC、TLC、QLC、PLC，从前至后读写速度、存储稳定性、使用寿命依次递减，存储密度、价格性价比依次递增。全球出货占比分别为为0.19%、10.17%、80.34%、9.30%。
（2）大容量 NAND Flash主要由海外五大巨头占领，2023 年第一季度三星电子、铠侠、西部数据、海力士、美光的份额占比分别为 34%、22%、15%、15%、10%，SLC NAND 主要是中国台湾和大陆厂商，包括华邦电子、旺宏电子、兆易创新。
（3）细分市场：eMMC（手机）、eSSD（服务器）、cSSD（PC）、存储卡/UFD等，占比分别为34%、26%、22%、9%。
PROM分为EPROM和EEPROM
四、存储器性能和应用范围对比
NAND Flash：存储阵列由存储单元通过串联方式连接而成，擦除以“页”为单位，具有存储容量大、写入/擦除速度快等特点，广泛应用于固态硬盘（SSD）、手机、平板、服务器、USB 驱动器和存储卡等。
NOR Flash：存储阵列通过各存储单元通过并联方式连接，在按位快速随机读取数据的同时，允许系统直接从存储单元中读取代码执行，具有芯片内执行、读取速度快的特点，应用于可穿戴设备、移动终端等。
DRAM：读写速度快，常用于系统硬件的运行内存，对系统指令和数据进行处理。
简易对比如图：